Dann tausch die mal gegen nicht Drahtwiderstände, zum Beispiel Kohleschichtwiderstände, aus. Und wenn du keine anderen hasst, kannst du mal bei niedriger Brückenspannung ohne Widerstände testen.
Ich glaub ich hab keine. Und wenn ich alle überbrücke, ändert sich auch nichts.
Rechtecksignal der Primärseite.
Gate Spannung.
Beides mit überbrückten Gate Widerständen.
Wenn ich nur einen Mosfet angeschlossen habe, ist das Signal sauberer.
Welche Leistung zieht der Treiber? (sollte bei 3nF Gatekapazität nicht mehr als ca 10Watt sein) Und vielleicht hilft es, es mahl mit weniger Windungen zu probieren.
Hab jetzt ne neuen GDT mit dem N30 Kern und jeweils 9 Windungen gewickelt. Insgesamt zieht meine Schaltung ca 500mA. Das sind die Signale die ich gemessen hab:
Einmal die Primärseite und dann die Gate Spannungen
Ohne Last sieht’s so aus
Das erste Bild sieht schonmal ganz gut aus.
Welche Maße hat der Kern und mit welcher Spannung wird er angesteuert?
Und kannst du mal zwischen den Ausgängen der Brücke messen ohne Last?
Der Kern hat ne Außendurchmesser von 25mm Innendurchmesser ist 15mm und die Höhe ist 11mm. Ich weiß der ist ein bisschen klein, aber das war der einzige den ich finden konnte. Alle anderen hatten dann schon 40mm Durchmesser.
Ansonsten Steuer ich meine Treiber mit 12V an, da ich alles auch später mit ner Autobatterie betreiben können will.
Am Ausgang der Brücke sieht die Spannung so aus. Ich glaub das ist nicht akzeptabel oder?
Bei 12V kannst du doch auch die Endstufe wie deinen jetzigen Treiber ansteuern und dir den Aufwand eines GDT ersparen.
Ist das das Signal der Endstufe?
Ja das ist das Signal der Endstufe. Woran könnte das denn liegen? Anscheinend reicht der Strom ja immer noch nicht aus und die Gate Spannungen brechen zusammen wenn ich alle Mosfets anschließe. Aber was kann ich denn noch machen?
Erstmal mit Gatewiderständen und Überbrückungsdioden Totzeit erzeugen. Vielleicht hilft das schon. Und auch Würde helfen die Treiberseite mit mehr Spannung zu versorgen und den GDT dann umzuwickeln.
War das die Endstufe mit oder ohne Last?
Ansonsten, wie schon gesagt, wenn die Endstufe mit 12V läuft, diese wie den Treiber anzusteuern.
Irgendwie kommt mir das Signal grundsätzlich etwas asymmetrisch vor, das geht doch nicht dass da ein Zweig der Vollbrücke immer länger an ist als der andere…
Sag mal was genau soll deine Schaltung eigtl. machen? Läuft das alles auf Festfrequenz?
Ich hab meine Schaltung so aufgebaut dass ich die Schaltfrequenz manuell über einen 555 Timer einstellen, aber auch auf ein Antennenfeedback umschalten kann. Die Asymmetrie kommt daher denke ich dass mein Timer keinen Duty cycle von 50% sondern eher von 55% produziert. Das wird dann über einen Schmitt Trigger invertiert, sodass ein Signal 55% und das andere 45% Duty cycle hat. Aber woran genau das liegt weiß ich nicht. Ich dachte das wäre eigentlich auch egal, da ich den Oszillator eh nur benutzen wollte wenn die Teslaspule nicht angeschlossen ist.
Was mir auch aufgefallen ist, dass mir die P channel Mosfets mit der Zeit heiß werden, insbesondere wenn ich die Betriebsspannung auf beispielsweise 15V erhöhe.
Dass die PMOS wärmer werden ist normal, da langsamer sind und höheren Widerstand haben. Kann auch sein dass Kurzzeitig für einige Nanosekunden der P und N gleichzeitig leiten. Würde das unkritisch sehen solange man sich nicht den Finger dran verbrennt, und dann hilft erstmal ein kleiner Kühlkörper.
Mir ist noch was aufgefallen. Die Gatesignale sind auch unterschiedlich. Die der High Side Fets der H Brücke haben eine Spitzenspannung von um die 25V und eine Minimalspannung von ca -15V. Bei den Low Side Fets ist das nicht so. Dort habe ich ca +12 und -12V. Und da ich meinen GDT im Verhältnis von 1:1:1:1:1 gewunden habe, wundert mich das. Auch werden bei den High Side Fets die Zener Dioden heiß die ich zum Schutz der Gates eingebaut habe und die eigentlich die Spannung auf ±15V kappen sollten.
Ist das vielleicht das Problem? Dass mir da irgendwas Strom frisst?
Trafos / GDT können nur AC übertragen. Die Fläche unter positiven Teil der Kurve ist immer genauso groß wie die übern negativen.
Wenn das Signal unsymmetrischer wird wird es also auch die Spannung.
Stimmt daran hab ich echt nicht gedacht
Mit einer Last am Ausgang der H Brücke bekomm ich folgende Signale.
Die Gate Spannung sieht so aus
Auf der Primärseite des GDTs
Und zwischen der Last und Masse
Ist das akzeptabel? Auch wenn die Ausgangsspannung 30V Spitzen bei 12V Betriebsspannung hat?
Ohne die Mosfet Treiberschaltung sieht die Ausgangsspannung übrigens so aus
Was meinst du mit ohne die MOSFET Treiberschaltung?
Und je näher die Anstiegs- und Die Abfallzeit des Ausgangssignal an den Werten im Datenblatt liegen desto besser. Und das Signal auf der Primärseite des GDT sieht etwas komisch aus.
Ohne die Mosfet Verstärkerschaltung und nur mit den ICs bekomme ich so eine Gate Spannung.
Im Internet hab ich was zu GDT Troubleshooting gelesen (https://www.richieburnett.co.uk/temp/gdt/gdt2.html) und ich finde mein Signal sieht dem hier noch am ehesten ähnlich.
Sollte ich dann vielleicht meinen GDT mit noch mehr Windungen wickeln? Ich hab eigentlich schon je 15 Stück.
Mit dem GDT mit 9 Windungen bekomm ich so ein Signal
Probier doch mal einen größeren Kern. Du hast ja geschrieben, dass du einen mit 40 mm Durchmesser hast probier mal den.
Ich hab nur einen mit 35 mm, aber den hab ich schon ausprobiert. Das ist der mit 15 Windungen.
Ich hab aber gerade mal ausprobiert was die Treiberschaltung des GDT an Strom liefert. Wenn ich statt der Primärseite des GDT mein Multimeter anschließe und den Strom messe, komm ich auf 0,33A Effektivstrom. Der Spitzenstrom wäre dann ja 0,47A. Das ist doch viel zu wenig oder? Vielleicht liegt ja da das Problem
