Jeder kennt das Problem mit GDTs. Gerade wenn man eine kleine Spule baut, dann möchte man es simpel halten. Man könnte eine Halb oder Vollbrücke ja auch aus einem P Channel und N Channel Pärchen bauen, ähnlich wie bei der Leistungselektronik von Motoren. Was würde gegen folgenden Aufbau sprechen:
Ein mögliches Problem was ich sehe, ist shoot through durch langsame Falltimes.
Der Grund ist einfach der, dass P-Channel-Power-FETs meist weniger leistungsfähig und tendenziell teurer sind, daher sind grosse Brücken immer aus N-Kanal-FETs gebaut. Es gibt grundsätzlich weniger P-Kanal-FETs als N-kanalige.
Gruss kilovolt
Das funktioniert halt nur für Spannungen <=20V.
Sonst wird die Gate Spannung zu hoch und die Mosfets sind Schrott.
Macht ‘heutzutage’ auch einfach immer weniger Sinn, weil wir so tolle, vollintegrierte MOSFET-Treiber einfach von der Stange kaufen können.
Wir müssen uns die Nachteile von P-Kanal-FETs immer weniger antun, wenn ein fertiger Chip schon das Signal passend isoliert auf die Levels eines N-Kanal-FETs hochboosten kann, häufig durch ne Charge-Pump, etc.
Die extrem beliebten IR2113 sind ja jetzt auch schon viele Jahre alt und viele Firmen haben eine ganze Menge verschiedener FET/IGBT-Treiber, z.B. TI mit der ganzen UCC-Reihe, die auch kaum Zusatzbeschaltung brauchen.
