Hast du Snubber verbaut, wenn nicht dann mach es. Ist das erste Bild ohne last? Wenn ja, dann könnte es vielleicht helfen Snubber und Gatewiderstände die mit Dioden überbrückt werden (für Totzeit) einzubauen. Und zum testen mit einer last kannst du einen nicht ausreichend starken Widerstand diesen auch unter Wasser setzen zum testen. Ansonsten den ganzen Aufbau möglichst niderinduktiv bauen und alle Leitungen verdrillen und TVS-Dioden über die CE-Strecke der IGBTs verbauen.
Ich weiß nicht genau was da falsch lief, ich glaube ich hatte zwei Sekundärwindungen verpolt. Auf jeden Fall funktioniert’s jetzt. Das einzige Problem was ich noch habe ist dass die Mosfets der GDT Treiberstufe schnell sehr heiß werden. Insbesondere der P channel Mosfet.
Dadurch sind mir schon zwei P Channel und ein N Channel Mosfet kaputt gegangen.
Das sind die Spannungen über die Primärwicklung des GDT.
Die Gate Spannung am High Side IGBT der H Brücke.
Um am Ausgang der H Brücke.
Das Ringing hier kommt höchstwahrscheinlich vom Ringing an der Gatespannung, das ist langsam immer stärker geworden je weiter ich die Schaltspannung des GDT erhöht habe.
Das hier ist die Spannung am Ausgang der H Brücke mit einer 6Ohm Last.
Glückwunsch das es nun endlich Funktioniert.
Logischerweise hilft es Kühlkörper, TVS-Dioden, Gate Widerstände und Snubber zu verwenden.
Das ist doch ziemlicher Mist… Du hast doch selber den Link gepostet mit den Beispielen und der Korrektur.
Da muss wohl der Gatewiderstand größer werden um die Schwingung zu dämpfen.
Soweit ich ihn verstanden habe ist das der Ausgang der Endstufe…
Genau ja. Die Gate Spannung ist das hier
Und das Ringing hier habe ich auch wegbekommen als ich einen Snubber zwischen Gate und Source geschalten habe. Allerdings ist mir danach einer der P Chanel Mosfet in die Luft geflogen, als sich hier zwei Kontakte auf meinem Breadboard berührt und damit Gate und Source kurzgeschlossen haben. Jetzt muss ich erst neue Mosfets besorgen, bevor ich weiter testen kann.
Was meinst du mit Snubbern am Gate? Ich meinte eigentlich Snubber für die Endstufe. Aber wenn es hilft…
Doof das mit dem MOSFET, ist mir auch schon passiert. Du solltest vielleicht alle anderen durchchecken, nicht dass auch noch einer von denen kaputt ist.
Ja ich hab einfach einen Snubber zwischen Gate und Source gesetzt. Das hat funktioniert. Ich hab nur leider kein Bild gemacht und jetzt kann ich das vorerst nicht mehr bis ich die neuen Mosfets habe.
Hat vielleicht irgendjemand einen Tipp für leistungsstärkere Mosfets für meinen GDT Treiber. Welche die nicht so schnell heiß werden?
Ich nutze diese:
Die sind aber vielleicht etwas Überdimensioniert dafür.
Wenn die Mosfets die Kilovolt genannt hat so heiß werden dass die kaputt gehen stimmt was bei deiner Schaltung nicht.
Die liefern genug leistung um ganz andere Kaliber anzusteuern als deine “Minimosfets”.
Bei mir schaffen zwei irfu120n und zwei irfu9024n es sowas hier mit genug Treiberleistung zu versorgen: http://www.bjrtd.com/pdf/skm200gb128d.pdf
OHNE KÜHLKÖRPER
Wieviel Volt ist da denn ein Kästchen? Da sind Zenerdioden am Gate, die Spannung sollte da schon genau stimmen.
… so’n MOSFET kann schon ziemlich empfindlich sein – ich war das erste Mal auch etwas überrascht, als meine erste Stromkonstanter-Schaltung mit einem MOSFET, der bis 60A abkönnen sollte, bei “nur” 10A trotz massivem Kühlkörper so heiß geworden ist, daß sich der mittlere Masse-Pin “losgelötet” hatte 
Aktuell kann ich mit etwas “stärkeren” MOSFET’s (IRF1404, bis 162A) immerhin bis 20A dauerhaft CW treiben (gepulst auch bis über 100A) … bin am Überlegen, was für QCW-Sromkonstanter ich mit IGBT’s hinbekomme - die können angeblich 300A dauerhaft, 600A kurzfristig und vermutlich noch mehr gepulst bzw. als PWM mit entsprechender Ratio 
Bei 10A wird nen Pinn von nem to247 Package nicht warm wenn hinten vernünftig gekühlt wird, das ist schlicht nicht möglich, vor allem der mittlere hängt allermeistens direkt am Rückseitigem Kühlblech.
Im Datenblatt steht auch die Verlustleistung die maximal verbraten werden kann, die ist etwas wichtiger wenn man die Teile als Widerstand benutzen will.
… normal würde ich dir ja auch zustimmen
Was ich hier annehme, ist, daß ich mir irgendeine Oszillation eingefangen habe, welche genug Energie hinundhergepumpt hatte, um das zu überhitzen.
Etwa ähnliches ist mir später nochmal untergekommen, als mein damaliger Chef meinen Eigenbau-Laserdiodentreiber für die PWM-Ansteuerung von IR-Laserdioden mit 9W@9A “proffessionell” nachentwickeln lassen wollte.
Ich hatte dem Elektroniker meinen eigenen Treiber mit einem Doppel-OpAmp und zwei parallel angesteuerten MOSFET’s erklärt und er wollte den mit seinen Teilen neu aufbauen.
Hab’ dafür einige meiner 9W-IR-Laserdioden und Fokussierköpfe mitgegeben.
Als der Chef den fertigentwickelten Treiber ausprobiert hat, ist ihm die Laserdiode nach ein paar Sekunden abgraucht, wobei auch die Kunststofflinse, welche bis über 30Watt IR (975nm) freigegeben war, geschmolzen ist.
Nachdem das bei mir auch genauso abgelaufen ist, habe ich mir den Treiber etwas genauer vorgenommen und wollte ihn über den Regelbereich 0-10A durchmessen – hat mich 2 Multmeter gekostet, di danach kaputt waren oder “Blödsinn” angezeigt haben!!
Als ich das mit einem DSO gemessen habe, kam ich dann auf das Problem.
Der neu entwickelte Treiber hat von 0A bis etwa 3.5A sauber geregelt … irgendwann ab etwa 3.7A hat der dan naber statt einem geregelten Konstantstrom plötzlich einen “Wald” von ganz kurzen Impulsen mit Spitzen von um +90A bis runter zu -40A ausgegeben !!!
Was mich da eher gewundert hatte, daß die Laserdioden das immerhin noch für wenige Sekunden mitgemacht haben, bis die abgeraucht sind … kein Wunder, daß bei solchen Leistungsspitzen die bis 30W gedachte Kunststoff-Linse geschmolzen ist 
Bei 300A braucht man dann aber ein IGBT-Modul und hat 600Watt Verlustleistung…
Das lohnt sich nur für höhere Spannungen.
Eigentlich sollten die MOSFETs wirklich nicht warm werden. @Gandalf06 die Leistung die nötig ist um die IGBTs anzusteuern sollte bei so 10Watt liegen. Kannst du mal messen was es wirklich ist. Und auch den Strom den dein Treiber ohne GDT zieht.
Da sind ein Kästchen 10V. Und da ich momentan noch 15V Zener Dioden am Gate verbaut habe, wollte ich mit der Gatespannung nicht weiter hochgehen.
Wegen den Mosfets der GDT Treiberschaltung bin ich mir nicht sicher warum diese heiß geworden sind. Ich hatte ja auch mal kurzzeitig die Orientierung von 2 der Sekundärspulen vertauscht, vielleicht ist das ja ein Grund dafür. Bei meinem letzten Versuch ist auf jeden Fall nichts heiß geworden, allerdings war die Schaltung auch nicht sehr lange an, bis ich den P Chanel Mosfet ausversehen kurzgeschlossen habe.
Wie gesagt ich muss erst noch neue Mosfets besorgen. Und das dauert wahrscheinlich noch bis Ende der Woche. Bis dahin kann ich halt nicht groß was messen
Aha da sind also +30V an deinem Mosfet Gate obwohl im Datenblatt steht dass man maximal +/-20V da dran geben soll…
Macht jetzt nicht viel Sinn.
Und dann wundert mich dass da überhaupt 30V gemessen werden, wie geht das?
Hier sind 15V Z-Dioden im Schaltplan.
Sind die schon kaputt weil da viel zu hohe Spannung aus dem GDT kommt?
Wenn da 15V Zenerdioden sind dann sollte da auch nicht viel mehr Spannung angelegt werden.
Das ist ja der High Side Mosfet. Am source liegen ja schon 12V an. Damit der durchschaltet muss ja dann schon noch Mal 15 oder 20V mehr anliegen.
Nennt man glaub ich bootstrapping. Da bin ich dann bei 12+20V = ~30V und bei ca 12-20V =~ -10V
Wenn du die Endstufe mit 12V speist, lohnt es sich nicht IGBTs zu verwenden da man dann mindestens 33 Prozent Verluste hat, plus Verluste durch schalten. Auch ein GDT lohnt sich da nicht. Du kannst die Endstufe problemlos wie die Brücke deines Treibens aufbauen und ansteuern. Und bootstrapping ist was anderes…
Die 12 V waren ja nur zum Testen. Ich habe vor bis zu 100V zu schalten. Und da ich bis jetzt immer ziemliche Spannungspitzen am Ausgang der H Brücke bekommen habe, hab ich mir IGBTs gesucht die hohe Spannung vertragen. Besser überdimensioniert als unterdimensioniert oder?
Und zum Bootstrapping: Da bin ich mir nicht ganz sicher, aber es gibt bootstrap Schaltungen die benutzt werden um den High side Mosfet anzusteuern. Ich dachte das heißt bootstrapping.
So was hier. Oder wird damit nur die Schaltung bezeichnet?